武汉新芯“晶圆键合方法及晶圆键合设备”专利获授权

发布时间:2024-02-28 06:54

集微网消息,天眼查信息显示,武汉新芯集成电路制造有限公司近日取得一项名为“晶圆键合方法及晶圆键合设备”的专利,授权公告号CN113299544B ,授权公告日为2024年02月27日,申请日为2021年5月25日。

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本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合设备,晶圆键合方法包括:将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆,下晶圆固定在下卡盘,并将上晶圆和下晶圆对准;将静电吸附卡盘的顶针下压上晶圆的中心区域,使上晶圆向下弯曲并与下晶圆的中心区域接触;调整静电吸附力的大小,使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘,并与下晶圆键合。通过静电吸附卡盘吸附上晶圆,在上晶圆下落与下晶圆键合的过程中,通过调整静电吸附力的大小,使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘,实现上晶圆下落过程中工艺可控,键合波由中心向四周扩展不受影响,完成晶圆键合;同时减小真空卡盘真空吸附方式对晶圆造成的扭曲。


来源:爱集微